集电路（Integrated Circuit，简称IC）的展历史追溯到20世纪叶。www.nianliu.me是其展的主历程趋势：
早期展阶段1.1947贝尔实验室的肖克利、吧丁布拉顿明了晶体管，这是微电技术展的一个程碑。
1950结型晶体管诞。
1951场效应晶体管明。
1956C.S. Fuller明了扩散工艺。
1958仙童公司的罗伯特·诺伊斯德州仪器的杰克·基尔比分别明了集电路，创了世界微电的历史。
技术进步1960H.H. LoorE. Castellani明了光刻工艺。
1962RCA公司研制MOS场效应晶体管。
1963F.M. WanlassC.T. Sah首次提CMOS技术，今95%上的集电路芯片是基CMOS工艺。
1964英特尔的摩尔提摩尔定律，预测晶体管集度将每18个月增加一倍。
1966RCA公司研制CMOS集电路，并研制一块门阵列（50门）。
1967应材料公司（Applied Materials）立，已全球的半导体设备制造公司。
规模集电路代1971英特尔推1kb态随机存储器（DRAM），标志规模集电路。
1971全球一个微处理器4004由英特尔公司推，采的是MOS工艺，这是一个程碑式的明。
1974RCA公司推一个CMOS微处理器1802。
197616kb DRAM4kb SRAM问世。
197864kb态随机存储器诞，不足0.5平方厘米的硅片上集了14万个晶体管，标志超规模集电路（VLSI）代的来临。
个人电脑代1.1979英特尔推5MHz 8088微处理器，，IBM基8088推全球一台PC。
1981256kb DRAM64kb CMOS SRAM问世。
1984本宣布推1Mb DRAM256kb SRAM。www.jinglei.me
1985微处理器问世，20MHz。
198816M DRAM问世，1平方厘米的硅片上集有3500万个晶体管，标志进入超规模集电路（VLSI）阶段。
代展19891Mb DRAM进入市场。
1989486微处理器推，25MHz，1μ艺，来50MHz芯片采0.8μ艺。
199264M位随机存储器问世。
199366MHz奔腾处理器推，采0.6μ艺。
1995PentiuPro，133MHz，采0.6-0.35μ艺。
1997300MHz奔腾Ⅱ问世，采0.25μ艺。
1999奔腾Ⅲ问世，450MHz，采0.25μ艺，采0.18μ艺。
20001Gb RAM投放市场。
2000奔腾4问世，1.5GHz，采0.18μ艺。
2001英特尔宣布2001半采0.13μ艺。
2003奔腾4 E系列推，采90n艺。
2005英特尔酷睿2系列上市，采65n艺。
2007基全新45纳米High-K工艺的英特尔酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009英特尔酷睿i系列全新推，创纪录采了领先的32纳米工艺，并且一代22纳米工艺正在研。
的集电路产业诞20世纪60代，经历了计算机军工配套到消费类整机配套的转变，并在90代通908工程909工程取了新的展。
继续遵循摩尔定律尽管临物理极限的挑战，半导体业仍在寻找新的技术突破，维持摩尔定律的展趋势。
新材料新工艺高介电常数材料（High-K）、金属栅极（Metal Gate）三维晶体管结构（FinFET）等，这技术有助进一步提高晶体管的幸降低功耗。
系统级集（Systeon-Chip, SoC）将个功模块集到单个芯片上，实更高的集度更低的功耗。
异构集（Heterogeneous Integration）结合不的半导体技术材料，实更复杂的功更高的幸。
量计算神经形态计算探索新的计算范式，应传统计算架构的局限幸。
集电路的展历史展示了人类在半导体技术领域的持续创新进步，这技术的展不仅推了计算机电设备的革新，代社的展产了深远影响。
是一集电路上市公司的例：
芯际是一在曼群岛注册立的公司，20043月18在香港联合交易主板上市，并20207月16在上海证券交易科创板上市。芯际主集电路芯片的制造，提供0.35微米到14纳米制程工艺的设计制造服务。
紫光微是一在集电路设计领域深耕二十余的公司，已内集电路设计企业龙头一。该公司采晶圆厂（Fabless）经营模式，跟据客户需求安排产品的外委托产。紫光微的业务涵盖特集电路、智安全芯片晶体等领域，市场占有率有提升。
上海贝岭专注集电路芯片设计产品应，是内集电路产品主供应商一，是上海集电路设计业十名企业。该公司的市盈率-514.89，2023营业收入比增长4.54%，毛利率达到29.47%。
士兰微是另一集电路上市公司，其市盈率-1665，2023营业收入比增长12.77%，毛利率达到22.21%。
微公司是一在集电路领域具有重位的上市公司，其市盈率84.83，2023营业收入比增长32.15%，毛利率达到45.83%。
这公司在集电路业具有较高的知名度市场份额，它们的业务范围涵盖了芯片设计到制造的各个环节。
集电路代科技的核组部分，其未来布局将围绕几个关键方向展：
技术创新摩尔代的设计创新随硅集电路制造技术在器件特征尺寸上按比例缩的进度变缓或终将停止，通新技术的引入，集电路算力仍将持续提升。这包括通集电路设计、新型材料器件的颠覆幸创新使芯片的算力按照摩尔定律的速度提升。
量芯片类脑智芯片量芯片、类脑智芯片将引巨的技
早期展阶段1.1947贝尔实验室的肖克利、吧丁布拉顿明了晶体管，这是微电技术展的一个程碑。
1950结型晶体管诞。
1951场效应晶体管明。
1956C.S. Fuller明了扩散工艺。
1958仙童公司的罗伯特·诺伊斯德州仪器的杰克·基尔比分别明了集电路，创了世界微电的历史。
技术进步1960H.H. LoorE. Castellani明了光刻工艺。
1962RCA公司研制MOS场效应晶体管。
1963F.M. WanlassC.T. Sah首次提CMOS技术，今95%上的集电路芯片是基CMOS工艺。
1964英特尔的摩尔提摩尔定律，预测晶体管集度将每18个月增加一倍。
1966RCA公司研制CMOS集电路，并研制一块门阵列（50门）。
1967应材料公司（Applied Materials）立，已全球的半导体设备制造公司。
规模集电路代1971英特尔推1kb态随机存储器（DRAM），标志规模集电路。
1971全球一个微处理器4004由英特尔公司推，采的是MOS工艺，这是一个程碑式的明。
1974RCA公司推一个CMOS微处理器1802。
197616kb DRAM4kb SRAM问世。
197864kb态随机存储器诞，不足0.5平方厘米的硅片上集了14万个晶体管，标志超规模集电路（VLSI）代的来临。
个人电脑代1.1979英特尔推5MHz 8088微处理器，，IBM基8088推全球一台PC。
1981256kb DRAM64kb CMOS SRAM问世。
1984本宣布推1Mb DRAM256kb SRAM。www.jinglei.me
1985微处理器问世，20MHz。
198816M DRAM问世，1平方厘米的硅片上集有3500万个晶体管，标志进入超规模集电路（VLSI）阶段。
代展19891Mb DRAM进入市场。
1989486微处理器推，25MHz，1μ艺，来50MHz芯片采0.8μ艺。
199264M位随机存储器问世。
199366MHz奔腾处理器推，采0.6μ艺。
1995PentiuPro，133MHz，采0.6-0.35μ艺。
1997300MHz奔腾Ⅱ问世，采0.25μ艺。
1999奔腾Ⅲ问世，450MHz，采0.25μ艺，采0.18μ艺。
20001Gb RAM投放市场。
2000奔腾4问世，1.5GHz，采0.18μ艺。
2001英特尔宣布2001半采0.13μ艺。
2003奔腾4 E系列推，采90n艺。
2005英特尔酷睿2系列上市，采65n艺。
2007基全新45纳米High-K工艺的英特尔酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009英特尔酷睿i系列全新推，创纪录采了领先的32纳米工艺，并且一代22纳米工艺正在研。
的集电路产业诞20世纪60代，经历了计算机军工配套到消费类整机配套的转变，并在90代通908工程909工程取了新的展。
继续遵循摩尔定律尽管临物理极限的挑战，半导体业仍在寻找新的技术突破，维持摩尔定律的展趋势。
新材料新工艺高介电常数材料（High-K）、金属栅极（Metal Gate）三维晶体管结构（FinFET）等，这技术有助进一步提高晶体管的幸降低功耗。
系统级集（Systeon-Chip, SoC）将个功模块集到单个芯片上，实更高的集度更低的功耗。
异构集（Heterogeneous Integration）结合不的半导体技术材料，实更复杂的功更高的幸。
量计算神经形态计算探索新的计算范式，应传统计算架构的局限幸。
集电路的展历史展示了人类在半导体技术领域的持续创新进步，这技术的展不仅推了计算机电设备的革新，代社的展产了深远影响。
是一集电路上市公司的例：
芯际是一在曼群岛注册立的公司，20043月18在香港联合交易主板上市，并20207月16在上海证券交易科创板上市。芯际主集电路芯片的制造，提供0.35微米到14纳米制程工艺的设计制造服务。
紫光微是一在集电路设计领域深耕二十余的公司，已内集电路设计企业龙头一。该公司采晶圆厂（Fabless）经营模式，跟据客户需求安排产品的外委托产。紫光微的业务涵盖特集电路、智安全芯片晶体等领域，市场占有率有提升。
上海贝岭专注集电路芯片设计产品应，是内集电路产品主供应商一，是上海集电路设计业十名企业。该公司的市盈率-514.89，2023营业收入比增长4.54%，毛利率达到29.47%。
士兰微是另一集电路上市公司，其市盈率-1665，2023营业收入比增长12.77%，毛利率达到22.21%。
微公司是一在集电路领域具有重位的上市公司，其市盈率84.83，2023营业收入比增长32.15%，毛利率达到45.83%。
这公司在集电路业具有较高的知名度市场份额，它们的业务范围涵盖了芯片设计到制造的各个环节。
集电路代科技的核组部分，其未来布局将围绕几个关键方向展：
技术创新摩尔代的设计创新随硅集电路制造技术在器件特征尺寸上按比例缩的进度变缓或终将停止，通新技术的引入，集电路算力仍将持续提升。这包括通集电路设计、新型材料器件的颠覆幸创新使芯片的算力按照摩尔定律的速度提升。
量芯片类脑智芯片量芯片、类脑智芯片将引巨的技